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SAWBAW和无线的未来通信网络

2019/05/14 来源:潍坊信息港

导读

SAW、BAW和无线的未来 - 通信/络 - 电子工程因这两种类型BAW滤波器的声能密度都很高、其结构都能很好地导限声波,它们的损耗都非

SAW、BAW和无线的未来 - 通信/络 - 电子工程

因这两种类型BAW滤波器的声能密度都很高、其结构都能很好地导限声波,它们的损耗都非常低。在微波频率,BAW可实现的Q值、在可比体积下、比任何其它类型的滤波器都高,可达:2500@2GHz。这使得即使在通带边缘的吃紧处,它也有极好的抑制和插入损耗性能。

虽然BAW和FBAR滤波器的制造成本更高,其性能优势非常适合极具挑战性的LTE频带以及PCS频带,后者的发送和接收路径间只有20MHz的狭窄过渡范围。 BAW和FBAR滤波器的IDT可做得足够大,以支持4W@2GHz的更高射频功率。BAW器件对静电放电有固有的高阻抗,其BAW-SMR变体具有约-17ppm/℃ @2GHz的TCF 。

随着频谱拥挤导致缩窄甚至舍弃保护频带的趋势,对于高性能滤波器的需求显着增加。BAW技术使人们有可能设计出具有非常陡峭滤波器裙边、高抑制性能以及温漂很小的窄带滤波器,它非常适合处理相邻频段之间非常棘手的干扰抑制问题。TriQuint及其它滤波器制造商的工程师正在努力实现4%或更高带宽、损耗更低、TCF基本为零的BAW-SMR滤波器。

BAW器件所需的制造工艺步骤是SAW的10倍,但因它们是在更大晶圆上制造的,每片晶圆产出的BAW器件也多了约4倍。即便如此,BAW的成本仍高于SAW。然而,对一些分配在2GHz以上极具挑战性的频段来说,BAW是可用方案。因此,BAW滤波器在3G/4G智能内所占的份额在迅速增长。

我们TriQuint的设计团队专注于优化BAW和 BAW-SMR架构,而非FBAR架构 。在BAW-SMR滤波器底部电极下方使用的声反射器使其在FBAR面临挑战的频段拥有优化的带宽性能。反射器使用的二氧化硅还显着减少了BAW的整体温漂,该指标远好于BAW甚至FBAR所能达到的水平。由于谐振器位于结实的材料块上,其散热比FBAR好得多,后者采用一个膜,仅能通过边缘散热。这使得BAW器件可实现更高的功率密度,不久就会有可用于小蜂窝基站应用10W级器件的问世。

总结

未来几年,SAW、TC-SAW和BAW滤波器及双工器的各种选择将成为各类无线设备更重要的组成部分。随着各类发射器的增加、更高频率内更多无线频段的分配、加之全球频谱管理依然各自为政,射频干扰抑制将变得越来越具有挑战性。

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